[发明专利]一种N-I-P型PIN器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110422749.1 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103165654A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 胡君;刘冬华;钱文生;段文婷;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N-I-P型PIN器件，包括：P型衬底上形成有集电区，集电区上方形成有发射区，集电区中形成有被集电区和发射区隔离的四个浅沟槽隔离区；位于两侧的两个浅沟槽隔离区底部形成有P型膺埋层，位于中间的两个浅沟槽隔离区集电区之间形成有N型膺埋层，N型膺埋层与发射区相连；多晶硅层形成于浅沟槽隔离区的上方，位于发射区的两侧；P型膺埋层和N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线，发射区通过接触孔引出连接金属连线，接触孔和深接触孔中具有钛或锡以及金属钨。本发明还公开了所述PIN器件的制造方法。本发明的PIN器件在不增加器件面积的前提下，增加了N型重掺杂区表面积，能增加器件正向导通电流，降低器件插入损耗，提高器件隔离度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pin 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种N‑I‑P型PIN器件，其特征是，包括：P型衬底上形成有集电区，集电区上方形成有发射区，集电区中形成有被集电区和发射区隔离的四个浅沟槽隔离区；位于两侧的两个浅沟槽隔离区底部形成有P型膺埋层，位于中间的两个浅沟槽隔离区集电区之间形成有N型膺埋层，N型膺埋层与发射区相连；多晶硅层形成于浅沟槽隔离区的上方，位于发射区的两侧；P型膺埋层和N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线，发射区通过接触孔引出连接金属连线，接触孔和深接触孔中具有钛或锡以及金属钨。
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