[发明专利]太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201110421935.3 | 申请日: | 2011-12-16 |
公开(公告)号: | CN103165742A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池的制备方法,其包括以下步骤:步骤a,提供M个P-N结单元预制体,M大于等于2,每个P-N结单元预制体包括层叠且接触设置的一第一硅层基材以及一第二硅层基材;步骤b,形成一内电极于所述M个P-N结单元预制体中的相邻两个P-N结单元预制体之间,所述内电极中至少一个内电极包括一碳纳米管阵列,以得到M个P-N结单元结构体;以及步骤c,将所述M个P-N结单元结构体由第一个至第M个P-N结单元结构体依次沿一直线层叠并排结合,使每相邻的两个P-N结单元预制体通过一个内电极连接在一起。本发明制备的太阳能电池具有较高的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制备方法,其包括以下步骤:步骤a,提供M个P‑N结单元预制体,M大于等于2,每个P‑N结单元预制体包括层叠且接触设置的一第一硅层基材以及一第二硅层基材,所述每个P‑N结单元预制体包括相对的一第一表面和一第二表面;步骤b,将所述M个P‑N结单元结构体由第一个至第M个P‑N结单元结构体沿一直线依次设置;步骤c,形成内电极于所述M个P‑N结单元预制体中的相邻两个P‑N结单元预制体之间,所述内电极串联所述相邻的P‑N结单元结构体,使M个P‑N结单元预制体串联设置,所述内电极包括碳纳米管阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的