[发明专利]太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其包括以下步骤：

步骤a，提供M个P-N结单元预制体，M大于等于2，每个P-N结单元预制体包括层叠且接触设置的一第一硅层基材以及一第二硅层基材，所述每个P-N结单元预制体包括相对的一第一表面和一第二表面；

步骤b，将所述M个P-N结单元结构体由第一个至第M个P-N结单元结构体沿一直线依次设置；

步骤c，形成内电极于所述M个P-N结单元预制体中的相邻两个P-N结单元预制体之间，所述内电极串联所述相邻的P-N结单元结构体，使M个P-N结单元预制体串联设置，所述内电极包括碳纳米管阵列。

2.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤c之后进一步包括一步骤d，形成两个收集电极基材设置于所述串联设置的M个P-N结单元的两端，得到一太阳能电池母体。

3.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤c之后进一步包括一步骤e，沿步骤c中与平行于所述直线的方向切割所述层叠的所述M个P-N结单元结构体得到多个太阳能电池。

4.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤c中形成内电极方法为通过化学气相沉积法生长碳纳米管阵列。

5.如权利要求4所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述形成内电极于所述M个P-N结单元预制体中的相邻的两个P-N结单元预制体之间包括：形成一碳纳米管阵列于所述每个P-N结单元预制体的第一表面或者第二表面。

6.如权利要求4所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述形成内电极于所述M个P-N结单元预制体中的相邻的两个P-N结单元预制体之间包括：形成碳纳米管阵列于所述每个P-N结单元预制体的第一表面或者第二表面；形成一金属层于碳纳米管阵列的自由端。

7.如权利要求4所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述形成内电极于所述M个P-N结单元预制体中的相邻的两个P-N结单元预制体之间包括：形成碳纳米管阵列于所述每个P-N结单元预制体的第一表面或者第二表面；通过浸润或者蒸镀的方法将一导电材料与碳纳米管阵列复合得到碳纳米管阵列复合材料，所述碳纳米管阵列复合材料中导电材料复合于碳纳米管阵列中的碳纳米管与碳纳米管之间的缝隙中。

8.如权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述导电材料为聚合物导电复合材料或者低熔点金属材料。

9.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述切割的方法为激光切割。

10.一种太阳能电池的制备方法，其包括以下步骤：

提供多个P-N结单元预制体，每个P-N结单元预制体包括层叠且接触设置的第一半导体层以及第二半导体层；

将多个P-N结单元预制体沿一直线串联设置，相邻的P-N结单元预制体之间形成碳纳米管阵列，形成太阳能电池预制体，使碳纳米管阵列中碳纳米管的两端分别连接相邻的P-N结单元预制体；以及

沿平行与所述直线方向切割所述太阳能电池预制体。

11.如权利要求10所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在太阳能电池预制体垂直于所述直线的两端分别设置一第一收集电极与第二收集电极。