[发明专利]一种具有弹性接触的芯片与电极互连结构的制备方法有效
申请号: | 201110421514.0 | 申请日: | 2011-12-15 |
公开(公告)号: | CN102569107A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 刘景全;芮岳峰;杨斌;杨春生 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种具有弹性接触的芯片与电极互连结构的制备方法,首先在硅基底上溅射铬层并旋涂光刻胶,图形化形成小圆柱,将光刻胶形成半球状,然后沉积聚合物薄膜,溅射并图形化金属,沉积聚合物薄膜,图形化露出半球状金属层,以光刻胶为掩膜,依次图形化各层,在半球顶部中心形成小通孔,去除底部半球状光刻胶,形成弹性触点,之后旋涂光刻胶并图形化,形成凹坑,压入芯片与半球状金属触点形成弹性接触,沉积聚合物薄膜固定芯片,释放芯片电极,最后在半球形背部填入填充物并密封。本发明工艺简单、降低了电极在制备过程中断裂的可能性,并增加电极和芯片接触的可靠性,提高整个系统的稳定性,且无需专用设备,降低了工艺成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 弹性 接触 芯片 电极 互连 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有弹性接触的芯片与电极互连结构的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:首先在硅基底上溅射金属铬层并旋涂光刻胶,并图形化光刻胶和铬层形成小圆柱,使光刻胶形成半球状;然后沉积聚合物薄膜作为底层绝缘层,溅射金属并图形化金属作为电极材料,沉积聚合物薄膜作为上层绝缘层,并图形化露出半球状金属层,以光刻胶为掩膜,依次图形化半球状金属层,底层聚合物绝缘层,使其在半球顶部中心位置形成小通孔,并去除底部半球状光刻胶,形成弹性触点;之后旋涂光刻胶并图形化,形成放置芯片凹坑,压入芯片,使其与半球状金属触点形成良好的弹性接触,沉积聚合物薄膜固定芯片,释放芯片电极;最后在半球形背部填入填充物并沉积聚合物薄膜密封,从而实现具有弹性接触的芯片电极的互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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