[发明专利]提高使用反射性材料的伸展应力衬垫的紫外线固化有效
| 申请号： | 201110421372.8 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102569197A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | R·里克特;T·胡伊辛加 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英国开*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明涉及提高使用反射性材料的伸展应力衬垫的紫外线固化，提供一种制造半导体装置的方法，其开始于在半导体晶圆上制作n-型金氧半导体(NMOS)晶体管结构。该方法继续在该NMOS晶体管结构上方形成光学反射层、在该光学反射层上方形成伸展应力诱发材料层、以及通过施加紫外线照射以固化该伸展应力诱发材料层。一些该紫外线照射直接地照射该伸展应力诱发材料层，而一些该紫外线照射则通过从该光学反射层反射以照射该伸展应力诱发材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 使用 反射 材料 伸展 应力 衬垫 紫外线 固化 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，该方法包含：在半导体晶圆上制作n‑型金氧半导体NMOS晶体管结构；在该NMOS晶体管结构上方形成光学反射层；在该光学反射层上方形成伸展应力诱发材料层；以及固化该伸展应力诱发材料层，其是通过施加紫外线照射，使得一些该紫外线照射直接地照射该伸展应力诱发材料层，并使得一些该紫外线照射则通过从该光学反射层反射以照射该伸展应力诱发材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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