[发明专利]像素结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种像素结构及其制造方法，像素结构包括基材、切换晶体管、介电层、连接导线、驱动晶体管、电容器以及像素电极。基材用以定义晶体管区域。切换晶体管设置于晶体管区域上。介电层设置于基材上，并且覆盖切换晶体管。连接导线设置于介电层上且位于晶体管区域的上方。驱动晶体管设置于介电层上，驱动晶体管垂直堆栈于切换晶体管的上方并且设置于晶体管区域的上方，且连接导线电性连接切换晶体管至驱动晶体管。像素电极电性连接驱动晶体管。

主权项

一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：(a) 形成一切换晶体管于一基材上，该基材定义一晶体管区域以及一像素区域，该切换晶体管设置于该晶体管区域，其中该切换晶体管设有一第一栅极、一第一栅极绝缘层、一第一信道结构、一第一源极以及一第一漏极；(b) 形成一第一介电层于该基材上，并且覆盖该切换晶体管；(c) 形成一连接导线于该第一介电层上，该连接导线设置于该晶体管区域的上方，该连接导线包括一第一接触垫、电性连接该第一接触垫的一第二栅极、以及电性连接该第二栅极的一第二接触垫；(d) 形成一驱动晶体管于该第一介电层上，使该驱动晶体管垂直堆栈于该切换晶体管的上方并且设置于该晶体管区域的上方，其中该驱动晶体管设有分别相对应该第一栅极、该第一栅极绝缘层、该第一信道结构、该第一源极以及该第一漏极的该第二栅极、一第二栅极绝缘层、一第二信道结构、一第二源极以及一第二漏极，使该第一接触垫连接该第一漏极至该第二栅极；(e) 形成一共享线于该第二栅极绝缘层上，使该共享线电性连接该第二源极，并且使一部分的该共享线与该第二接触垫互相重迭配置以形成一电容器；以及(f) 形成一像素电极，使该像素电极电性连接该第二漏极。