[发明专利]制作半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有鳍片和垂直地跨过鳍片的栅极，栅极上还形成有牺牲层，在半导体衬底上的栅极和牺牲层的两侧形成有侧壁材料层；对侧壁材料层执行回蚀工艺，以使牺牲层的上表面高于侧壁材料层的上表面；形成第一掩膜层，第一掩膜层覆盖牺牲层一侧的侧壁材料层和牺牲层的一部分；在第一掩膜层、牺牲层的另一侧和牺牲层上形成第二掩膜层；对第一掩膜层和第二掩膜层执行干法刻蚀，以在牺牲层的两侧形成具有不同宽度的侧壁掩膜层；以及以侧壁掩膜层为掩膜对侧壁材料层进行刻蚀，以在栅极两侧形成非对称的侧壁。本发明不但可以降低寄生电容，同时还可以在一定程度上提高了FinFET的速度。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片和垂直地跨过所述鳍片的栅极，所述栅极上还形成有牺牲层，在所述半导体衬底上的所述栅极和所述牺牲层的两侧形成有侧壁材料层；b)对所述侧壁材料层执行回蚀工艺，以使所述牺牲层的上表面高于所述侧壁材料层的上表面；c)形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖所述牺牲层一侧的所述侧壁材料层和所述牺牲层的一部分；d)在所述第一掩膜层、所述牺牲层的另一侧和所述牺牲层上形成第二掩膜层；e)对所述第一掩膜层和所述第二掩膜层执行干法刻蚀，以在所述牺牲层的两侧形成具有不同宽度的侧壁掩膜层；以及f)以所述侧壁掩膜层为掩膜对所述侧壁材料层进行刻蚀，以在所述栅极两侧形成非对称的侧壁。