[发明专利]用于刻蚀的硬掩膜及其制备方法以及MOS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110415370.8 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103165416A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于刻蚀的硬掩膜及其制备方法以及MOS器件的制造方法。所述硬掩膜为至少两层的多层结构，该硬掩膜对湿法或干法刻蚀的刻蚀速率从最外层到最内层依次升高。其制备方法为：在基底上依次沉积从最内层到最外层的至少两层的多层结构，该硬掩膜对湿法或干法刻蚀的刻蚀速率从最外层到最内层依次升高。本发明的硬掩膜既能做到对湿法或者干法刻蚀的破坏具有高抵抗力，以保证在MOS器件制程中的多个连续工艺过程中，特别是保证在多个连续工艺过程中所采用的湿法或干法刻蚀中，该硬掩膜具有比较低的刻蚀速率以至能比较好的保护其覆盖区域，又能做到在后续的工艺中能够比较快的被热磷酸水溶液去除。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 刻蚀 硬掩膜 及其 制备 方法 以及 mos 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种用于刻蚀的硬掩膜，其特征在于：所述硬掩膜为至少两层的多层结构，该硬掩膜对湿法或干法刻蚀的刻蚀速率从最外层到最内层依次升高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
