[发明专利]MEMS器件形成方法和具有MEMS结构的器件有效
| 申请号： | 201110415082.2 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102556946A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·因赞特;威姆·范登艾登;哈罗德·罗森 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种形成MEMS器件的方法，包括：用在衬底结构(100)上沉积的牺牲层部分(130)来封闭MEMS元件(122)，所述牺牲层部分限定了用于MEMS器件的腔体(150)；形成从所述牺牲层部分向外延伸的另一牺牲材料的至少一个条带(132)；在牺牲层部分上形成覆盖层部分(140)，所述覆盖层部分终止于至少一个条带；去除牺牲层部分和至少一个条带，所述至少一个条带的去除限定了在覆盖层下面横向延伸的至少一个排放道(134)；以及密封所述至少一个排放道。还公开了一种包括这种已封装微机电结构(122)的器件。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 形成 方法 具有 结构 | ||
【主权项】：
一种形成MEMS器件的方法，包括：用在衬底结构(100)上沉积的牺牲层部分(130)来封闭MEMS元件(122)，所述牺牲层部分限定了用于MEMS器件的腔体(150)；形成从所述牺牲层部分向外延伸的另一牺牲材料的至少一个条带(132)；在牺牲层部分上形成覆盖层部分(140)，所述覆盖层部分终止于所述至少一个条带；去除牺牲层部分和所述至少一个条带，所述至少一个条带的去除限定了在覆盖层部分下面横向延伸的至少一个排放道(134)；以及密封所述至少一个排放道。
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