[发明专利]MEMS器件形成方法和具有MEMS结构的器件

权利要求书

1.一种形成MEMS器件的方法，包括：

用在衬底结构(100)上沉积的牺牲层部分(130)来封闭MEMS元件(122)，所述牺牲层部分限定了用于MEMS器件的腔体(150)；

形成从所述牺牲层部分向外延伸的另一牺牲材料的至少一个条带(132)；

在牺牲层部分上形成覆盖层部分(140)，所述覆盖层部分终止于所述至少一个条带；

去除牺牲层部分和所述至少一个条带，所述至少一个条带的去除限定了在覆盖层部分下面横向延伸的至少一个排放道(134)；以及

密封所述至少一个排放道。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成另一牺牲材料的至少一个条带(132)的步骤包括形成多个所述条带。

3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：通过覆盖层部分的化学处理将覆盖层部分(140)转换为多孔覆盖层部分，所述化学处理同时去除了牺牲层部分(130)和所述至少一个条带(132)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中覆盖层部分(140)包括半绝缘多晶硅SIPOS，并且所述化学处理步骤包括用氢氟酸刻蚀配方处理SIPOS。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述至少一个条带(132)的厚度在5-50nm的范围。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，还包括：在牺牲层部分(130)上形成已构图支撑层(135)，所述已构图支撑层限定了牺牲层部分的顶部上的刻蚀孔，其中形成覆盖层部分(140)的步骤包括在包括已构图支撑层的牺牲层上形成覆盖层部分，并且通过一部分已构图支撑层将覆盖层部分与所述至少一个条带相分离。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述已构图支撑层(135)是多晶硅层。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中所述密封步骤包括在所得到的结构上沉积盖层(160)。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在真空压力下执行所述沉积步骤。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中通过氢氟酸刻蚀去除所述牺牲层部分(130)和所述至少一个条带(132)。

11.一种器件，包括：

被覆盖层部分(140)覆盖的衬底(100)；

衬底和覆盖层部分之间的腔体(150)，所述腔体包括微机电结构(122)；

覆盖层部分下面的至少一个排放道(134)，所述至少一个排放道从所述腔体横向地延伸；以及

密封层(160)，覆盖所述盖层部分，并且密封所述至少一个排放道。

12.根据权利要求11所述的器件，其中所述覆盖层部分(140)包括氢氟酸处理的SIPOS。

13.根据权利要求11或12所述的器件，还包括被所述覆盖层部分(140)覆盖的已构图支撑结构(135)。

14.根据权利要求11-13中任一项所述的器件，其中所述至少一个排放道(134)具有范围在5-50nm的高度。

15.根据权利要求11-14中任一项所述的器件，其中所述器件包括多个所述排放道(134)。