[发明专利]TFT阵列基板及其上ESD保护电路的制备方法

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板及其上ESD保护电路的制备方法。该方法包括：采用多灰阶掩模板对光刻胶层进行曝光显影操作，以形成包括完全保留区、部分保留区和完全去除区的光刻胶图案；进行干刻，以刻蚀完全去除区对应的有源层薄膜和绝缘层薄膜，露出第一金属图案而形成接触过孔；刻蚀部分保留区对应的光刻胶和有源层薄膜，露出绝缘层薄膜而形成TFT有源层图案；刻蚀完全保留区对应的部分光刻胶；形成第二金属图案和跨接线，跨接线通过接触过孔连接第一金属图案和第二金属图案。本发明将TFT有源层的硅岛图案和接触过孔共用一张多灰阶掩膜板来形成，减少了一次掩膜构图工艺，能降低成本。

主权项

一种TFT   阵列基板制备方法，其特征在于，包括：在形成有第一金属图案的衬底基板上依次形成绝缘层薄膜、有源层薄膜和光刻胶层；采用多灰阶掩模板对所述光刻胶层进行曝光显影操作，以形成包括完全保留区、部分保留区和完全去除区的光刻胶图案，其中，所述完全保留区对应TFT有源层图案，所述完全去除区对应接触过孔图案，所述部分保留区的光刻胶厚度小于完全保留区的光刻胶厚度；对完成上述操作的衬底基板进行干刻，以刻蚀完全去除区对应的有源层薄膜和绝缘层薄膜，露出第一金属图案而形成所述接触过孔；刻蚀部分保留区对应的光刻胶和有源层薄膜，露出绝缘层薄膜而形成TFT有源层图案；刻蚀完全保留区对应的部分光刻胶；去除所述完全保留区剩余的光刻胶；在完成上述操作的衬底基板上形成第二金属层薄膜，并采用构图工艺形成包括第二金属图案和跨接线，所述跨接线通过所述接触过孔连接所述第一金属图案和第二金属图案。