[发明专利]提高晶体管芯片抗二次击穿耐量的方法及结构有效
| 申请号： | 201110413141.2 | 申请日： | 2011-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102544077A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈友龙;刘宗永;许晓鹏 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高晶体管芯片抗二次击穿耐量的方法，本发明在现有的芯片（1）的基极（b）与发射极（e）之间的P-N结上腐蚀出一圈环形隔离槽（2），使该环形隔离槽（2）的深度大于3μm并小于该P-N结的深度，然后在该环形隔离槽（2）中填充满绝缘材料层（3），这样即可使该芯片的三极管在工作时，其工作电流只从芯片（1）的内部流过，防止在芯片（1）中产生发射极电流集边效应，从而提高晶体管芯片的抗二次击穿耐量。本发明不仅具有结构简单、制作容易、抗二次击穿耐量高的优点，而且本发明还具有工作性能稳定、使用寿命长等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 晶体管 芯片 二次 击穿 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种提高晶体管芯片抗二次击穿耐量的方法，其特征在于：采用现有的半导体三极管的芯片（1），在该芯片（1）的基极（b）与发射极（e）之间的P‑N结上腐蚀出一圈环形隔离槽（2），使该环形隔离槽（2）的深度大于3μm并小于该P‑N结的深度，然后在该环形隔离槽（2）中填充满绝缘材料层（3），这样即可使该芯片的三极管在工作时，其工作电流只从芯片（1）的内部流过，防止在芯片（1）中产生发射极电流集边效应，从而提高晶体管芯片的抗二次击穿耐量。
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