[发明专利]液晶显示器阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 201110408043.X | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102566121A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李铉奎;李石;郑敬燮;李恩远;金镇成;崔容硕;李俊雨;金相泰 | 申请（专利权）人： | 东友FINE-CHEM股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77;C23F1/18 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;周义刚 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及制造液晶显示器的阵列基板的方法，包括在基板上形成铜基金属层并利用刻蚀溶液组成刻蚀铜基金属层，从而形成栅极接线；以及在半导体层上形成铜基金属层，并利用刻蚀溶液组成刻蚀铜基金属层，从而形成源极和漏极，其中基于该组成的总重量，刻蚀溶液组成包括A)过氧化氢、B)含氟化合物、C)0.1～5wt％吡咯基化合物、D)选自膦酸衍生物及其盐的一个或多个化合物、E)磷酸盐化合物以及F)余量的水。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示器 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造液晶显示器的阵列基板的方法，其特征在于，包括：a)在基板上形成栅极接线；b)在包括栅极接线的基板上形成栅绝缘层；c)在栅绝缘层上形成半导体层；d)在半导体层上形成源极和漏极；以及e)形成连接漏极的像素电极，其中，所述a)包括在基板上形成铜基金属层，并利用刻蚀溶液组成刻蚀铜基金属层，从而形成栅极接线，所述d)包括在半导体层上形成铜基金属层，并利用刻蚀溶液组成刻蚀铜基金属层，从而形成源极和漏极，以及基于组成的总重量，刻蚀溶液组成包括A)5～25wt％过氧化氢、B)0.01～1.0wt％含氟化合物、C)0.1～5wt％吡咯基化合物、D)0.1～10.0wt％选自膦酸衍生物及其盐的一个或多个化合物、E)0.1～5wt％磷酸盐化合物以及F)余量的水。
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