[发明专利]液晶显示器阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种制造液晶显示器的阵列基板的方法，其特征在于，包括：

a)在基板上形成栅极接线；

b)在包括栅极接线的基板上形成栅绝缘层；

c)在栅绝缘层上形成半导体层；

d)在半导体层上形成源极和漏极；以及

e)形成连接漏极的像素电极，

其中，

所述a)包括在基板上形成铜基金属层，并利用刻蚀溶液组成刻蚀铜基金属层，从而形成栅极接线，

所述d)包括在半导体层上形成铜基金属层，并利用刻蚀溶液组成刻蚀铜基金属层，从而形成源极和漏极，以及

基于组成的总重量，刻蚀溶液组成包括A)5～25wt％过氧化氢、B)0.01～1.0wt％含氟化合物、C)0.1～5wt％吡咯基化合物、D)0.1～10.0wt％选自膦酸衍生物及其盐的一个或多个化合物、E)0.1～5wt％磷酸盐化合物以及F)余量的水。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液晶显示器的阵列基板为薄膜晶体管阵列基板。

3.一种用于刻蚀铜基金属层的刻蚀溶液组成，其特征在于，包括：

基于该组成的总重量，

A)5～25wt％过氧化氢；

B)0.01～1.0wt％含氟化合物；

C)0.1～5wt％吡咯基化合物；

D)0.1～10.0wt％选自膦酸衍生物及其盐的一个或多个化合物；

E)0.1～5wt％磷酸盐化合物；以及

F)余量的水。

4.根据权利要求3所述的刻蚀溶液组成，其特征在于，B)所述含氟化合物为选自NH₄FHF、KFHF、NaFHF、NH₄F、KF以及NaF构成的组中的一个或多个。

5.根据权利要求3所述的刻蚀溶液组成，其特征在于，C)所述吡咯基化合物为选自氨基四唑、苯并三唑、甲苯三唑、吡唑、吡咯、咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丙基咪唑、2-氨基咪唑、4-甲基咪唑、4-乙基咪唑以及4-丙基咪唑构成的组中的一个或多个。

6.根据权利要求3所述的刻蚀溶液组成，其特征在于，D)所述选自膦酸衍生物及其盐的一个或多个化合物为选自1-羟基乙叉-1，1-二磷酸、1-羟基乙叉-1，1-二磷酸的钠盐以及1-羟基乙叉-1，1-二磷酸的钾盐构成的组中的一个或多个。

7.根据权利要求3所述的刻蚀溶液组成，其特征在于，E)所述磷酸盐化合物为选自磷酸二氢铵、磷酸二氢钠、磷酸二氢钙、磷酸二氢钾、磷酸氢二铵、磷酸氢二钠、磷酸氢钙以及磷酸氢二钾构成的组中的一个或多个。

8.根据权利要求3所述的刻蚀溶液组成，其特征在于，所述铜基金属层为铜或铜合金的单层、包括钼层和形成在钼层上的铜层的铜钼层、或者包括钼合金层和形成在钼合金层上的铜层的铜钼合金层。

9.一种刻蚀铜基金属层的方法，其特征在于，包括：

I)在基板上形成铜基金属层；

II)在铜基金属层上选择性地形成光反应材料；以及

III)利用根据权利要求3所述的刻蚀溶液组成刻蚀铜基金属层。

10.一种液晶显示器的阵列基板，其特征在于，包括选自利用根据权利要求3所述的刻蚀溶液组成刻蚀的栅极、栅极接线、源极和漏极、以及数据接线中的一个或多个。