[发明专利]互连结构的制造方法有效
| 申请号： | 201110407271.5 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN103165518A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连结构的制造方法，通过在金属层两侧沉积遮挡层将金属层顶部由金属层围成的开口缩小，然后再对开口进行封口，以在金属层之间形成较大空气隙，有效降低RC延迟，提高了包括所述互连结构的半导体器件的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成低k介质层；在所述低k介质层中形成多个沿水平方向间隔排列的金属层；去除部分低k介质层，形成由所述金属层围成的开口；通过高深宽比工艺向所述开口中填充介质材料，形成遮挡层，所述遮挡层内部包含竖直方向的孔洞；平坦化所述遮挡层以及位于遮挡层内部的金属层，至暴露出金属层和孔洞；对所述遮挡层进行湿法清洗，至所述孔洞底部暴露出低k介质层；去除位于所述遮挡层下的低k介质层；向所述孔洞中填充介质材料，封闭孔洞，形成空气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
