[发明专利]互连结构的制造方法

权利要求书

1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成低k介质层；

在所述低k介质层中形成多个沿水平方向间隔排列的金属层；

去除部分低k介质层，形成由所述金属层围成的开口；

通过高深宽比工艺向所述开口中填充介质材料，形成遮挡层，所述遮挡层内部包含竖直方向的孔洞；

平坦化所述遮挡层以及位于遮挡层内部的金属层，至暴露出金属层和孔洞；

对所述遮挡层进行湿法清洗，至所述孔洞底部暴露出低k介质层；

去除位于所述遮挡层下的低k介质层；

向所述孔洞中填充介质材料，封闭孔洞，形成空气隙。

2.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述提供衬底，

在所述衬底上形成低k介质层的步骤包括：在衬底上形成低k介质层之前，在衬底上形成金属阻挡层。

3.如权利要求2所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述在所述低k介质层中形成多个沿水平方向间隔排列的金属层的步骤包括：

在所述低k介质层上形成硬掩模层；

在所述硬掩模层上形成抗反射层；

在抗反射层上形成光刻胶层；

图形化所述光刻胶层，形成光刻胶图形；

以所述光刻胶图形为掩模图形化所述硬掩模层，形成硬掩模图形；

以所述硬掩模图形为掩模图形化所述低k介质层和金属阻挡层，形成沿水平方向间隔排列的凹槽；

去除所述光刻胶图形和所述抗反射层图形；

向所述凹槽中填充金属材料，以形成金属层。

4.如权利要求3所述的互连结构的制造方法，其特征在于，在向所述凹槽中填充金属材料的步骤之后，还包括：通过化学机械研磨工艺去除多余的金属材料，使金属层和低k介质层的表面齐平。

5.如权利要求2所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述金属层的材料为铜。

6.如权利要求5所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述金属阻挡层的材料为氮化硅。

7.如权利要求2所述的互连结构的制造方法，其特征在于，向所述孔洞中填充的介质材料与所述金属阻挡层材料相同。

8.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述低k介质层材料为氮化硼。

9.如权利要求8所述的互连结构的制造方法，其特征在于，通过氯气或氢气等离子体去除所述部分低k介质层和位于所述阻挡层下的低k介质层。

10.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述遮挡层的材质为氧化硅，形成所述氧化硅的反应物为TEOS和O₃。

11.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，通过CMP工艺平坦化所述遮挡层以及位于遮挡层内部的金属层。

12.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，通过氢氟酸溶液对所述孔洞进行湿法清洗。

13.如权利要求12所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液中水和氢氟酸的体积比在300∶1～1000∶1范围内。