[发明专利]平面型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201110402545.1 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103151262A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 唐红祥;计建新;马卫清 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种平面型绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）及其制备方法，属于IGBT技术领域。该制备方法包括步骤：（1）提供半导体衬底；（2）在所述半导体衬底的第一面上外延生长外延层；（3）在所述半导体衬底的第二面上制备形成所述平面型IGBT的栅极和发射极；（4）对所述外延层进行减薄以形成集电区；（5）在所述集电区上金属化以形成集电极。该制备方法成本低、制备形成的平面型IGBT的器件性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种平面型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的第一面上外延生长外延层；在所述半导体衬底的第二面上制备形成所述平面型绝缘栅双极型晶体管的栅极和发射极；对所述外延层进行减薄以形成集电区；以及在所述集电区上金属化以形成集电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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