[发明专利]平面型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201110402545.1 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103151262A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 唐红祥;计建新;马卫清 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种平面型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底的第一面上外延生长外延层；
在所述半导体衬底的第二面上制备形成所述平面型绝缘栅双极型晶体管的栅极和发射极；
对所述外延层进行减薄以形成集电区；以及
在所述集电区上金属化以形成集电极。
2. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述平面型绝缘栅双极型晶体管为平面型场截止绝缘栅双极型晶体管；并且
所述外延生长步骤中，包括：
在所述半导体衬底的第一面上外延生长用于形成缓冲层的第一外延层；以及
在所述第一外延层上外延生长用于形成集电区的第二外延层。
3. 如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在对所述外延层进行减薄的步骤中，对所述第二外延层进行减薄。
4. 如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底为N型掺杂，所述第一外延层为N型掺杂，所述第二外延层为P型掺杂。
5. 如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底的掺杂浓度范围为1×109离子/cm3至1×1015离子/cm3。
6. 如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一外延层的掺杂浓度范围为1×1014离子/cm3至1×1022离子/cm3，所述第一外延层的厚度范围为0.0001微米至100微米。
7. 如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第二外延层的掺杂浓度范围为1×1014离子/cm3至1×1023离子/cm3，所述第二外延层的厚度范围为1微米至600微米。
8. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述外延生长的温度范围为1100℃至1240℃。
9. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述集电极为Al/Ti/Ni/Ag的复合层结构；或者为Ti/Ni/Ag的复合层结构；或者为Al/V/Ni/Ag的复合层结构。
10. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在外延生长外延层步骤之前，对所述半导体衬底的第一面进行抛光。
11. 一种按照如权利要求1至10中任一项所述方法制备形成的平面型绝缘栅双极型晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
