[发明专利]一种防止外延层生长二次位错的方法

摘要

本发明一种消除外延生长位错的方法，直接在传统的蓝宝石、SiC或Si衬底上生长一定厚度的外延层，然后采用等离子辅助的化学气相沉积(PECVD)沉积一定厚度的SiO2或SiN作为掩膜层，然后通过研磨抛光至外延层，并用热酸将表面腐蚀干净，再进行后续生长；利用SiO2掩埋层减少生长层中的穿透位错密度，研磨抛光并进行酸洗后表面没有形成周期性台面和凹槽，而且该方法在二次生长中没有出现侧向外延生长，后续生长不会产生二次位错。

主权项

一种防止外延层生长二次位错的方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：采用金属有机化学气相沉积法在传统蓝宝石、SiC或Si衬底上生长1～2um的外延层(1)，外延层(1)的表面出现位错(2)；步骤2：将步骤1生长外延层后的外延片放入NaOH饱和溶液中，在50～80℃下浸泡5～10min，再用去离子水冲洗并甩干，将冲洗并甩干后的外延片采用等离子体辅助化学气相沉积法沉积0.5～1um厚度的SiO2或SiN作为掩膜层(3)，同时掩膜层(3)填充在位错(2)中；步骤3：将步骤2沉积掩膜层后的外延片进行研磨抛光，直至抛光至外延层(1)，然后将外延片用硫酸∶双氧水∶水的体积比为5∶1∶1的混合溶液在50～80℃下浸泡5～10min，随后用去离子水冲洗并甩干，随后用HCl∶H2O的体积比为1∶5的酸溶液在50～80℃下浸泡5～10min，再用去离子水冲洗并甩干，最后再进行后续生长。