[发明专利]一种TFT像素结构及其点缺陷修复方法有效
| 申请号： | 201110398822.6 | 申请日： | 2011-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103135303A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 夏志强 | 申请（专利权）人： | 上海中航光电子有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201108 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT像素结构及其点缺陷修复方法，所述TFT像素结构增加了在绝缘层与钝化层之间的通过通孔与像素电极电连接的第二金属层(数据线层)，并且所述第二金属层与设置于底层的栅极金属层Gate metal及共通电极层COM都存在空间交叠，在对其进行亮点修复时，在所述第二金属层标识图形修复位置，激光熔接所述第二金属层与所述栅极金属层Gate metal，或激光熔接所述第二金属层与所述共通电极层COM，以实现像素电极层拉至低电位，亮点变暗点，且亮点修复率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 像素 结构 及其 点缺陷 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管TFT像素结构，其特征在于，所述TFT像素结构包括：设置于底层的栅极金属层和共通电极层；由底层至上依次设置的绝缘层、第二金属层、钝化层及像素电极层；所述第二金属层与所述像素电极层通过通孔相电连接，与所述栅极金属层和/或所述共通电极层在空间上交叠。
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