[发明专利]磁隧道结及其形成方法有效
| 申请号： | 201110397317.X | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103137849A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种磁隧道结，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的开口；固定磁性材料层，位于所述开口的底部和部分侧壁；隧道绝缘材料层，覆盖所述固定磁性材料层和部分开口的侧壁；自由磁性材料层，位于所述开口内、且覆盖所述隧道绝缘材料层。形成的磁隧道结与顶部电极层和底部电极层的接触面积增大，磁存储器的驱动电流增加，性能更好。相应的，本发明的实施例还提供了一种磁隧道结的形成方法，形成的磁隧道结的质量好，稳定性高，磁存储性能好，且工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁隧道结，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的开口；固定磁性材料层，位于所述开口的底部和部分侧壁；隧道绝缘材料层，覆盖所述固定磁性材料层和部分开口的侧壁；自由磁性材料层，位于所述开口内、且覆盖所述隧道绝缘材料层。
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