[发明专利]提高出光效率的LED芯片有效
| 申请号： | 201110382497.4 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102394267A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 柯志杰;邓群雄;黄慧诗;郭文平 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214111 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高出光效率的LED芯片，所述提高出光效率的LED芯片，包括衬底，所述衬底上设有N型氮化镓层，所述N型氮化镓层上设有量子阱、P型氮化镓层及透明导电层，所述N型氮化镓层上设有N打线电极，所述N打线电极与N型氮化镓层电连接；所述透明导电层上设有P打线电极，所述P打线电极通过透明导电层与P型氮化镓层电连接；所述N打线电极下设有N电极反射电极层，所述N电极反射电极层与N型氮化镓层相接触；所述P打线电极下方设有P电极反射电极层，所述P电极反射电极层位于透明导电层下，P电极反射电极层通过透明导电层与P打线电极相隔离。本发明结构简单紧凑，提高出光效率，降低成本，操作方便，稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 效率 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种提高出光效率的LED芯片，包括衬底(1)，所述衬底(1)上长有N型氮化镓层(2)，所述N型氮化镓层(2)上长有量子阱(3)、P型氮化镓层(8)及透明导电层(4)，所述N型氮化镓层(2)上沉积有N打线电极(9)，所述N打线电极(9)与N型氮化镓层(2)电连接；所述透明导电层(4)上沉积有P打线电极(6)，所述P打线电极(6)通过透明导电层(4)与P型氮化镓层(8)电连接；其特征是：所述N打线电极(9)下沉积N电极反射电极层(10)，所述N电极反射电极层(10)与N型氮化镓层(2)相接触；所述P打线电极(6)下方设有P电极反射电极层(7)，所述P电极反射电极层(7)位于透明导电层(4)下方，P电极反射电极层(7)通过透明导电层(4)与P打线电极(6)相隔离。
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