[发明专利]NLDMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110369580.8 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103123935A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 张帅;董科 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NLDMOS器件，P型硅衬底上形成有深N阱，在与所述深N阱相邻的在P型硅衬底上形成有P阱，在所述深N阱中形成有浮置P型结构，在所述深N阱上形成有漏极，在所述P阱上形成有源极，在所述P阱同所述深N阱交界区域上方形成栅极，所述浮置P型结构所对应的上方的深N阱中的N型杂质浓度大于下方的深N阱中的N型杂质浓度。本发明还公开了一种NLDMOS器件的制造方法。本发明，能提高NLDMOS器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | nldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种NLDMOS器件，P型硅衬底上形成有深N阱，在与所述深N阱相邻的在P型硅衬底上形成有P阱，在所述深N阱中形成有浮置P型结构，在所述深N阱上形成有漏极，在所述P阱上形成有源极，在所述P阱同所述深N阱交界区域上方形成栅极，其特征在于，所述浮置P型结构所对应的上方的深N阱中的N型杂质浓度大于下方的深N阱中的N型杂质浓度。
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