[发明专利]空气隙互联结构的形成方法在审
| 申请号： | 201110365145.8 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN103117245A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 王晖;王坚;金一诺;贾照伟 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种空气隙互联结构的形成方法，该方法包括在半导体集成电路的基底层上淀积第一介质层；在第一介质层上淀积第二介质层；在第二介质层上形成沟槽，相邻两沟槽由第二介质层隔离开；在第二介质层的表面和沟槽内依次淀积阻挡层和主导电层；对主导电层进行表面平坦化，并保留一定厚度的主导电层；采用无应力抛光工艺去除除沟槽内的主导电层以外的所有主导电层；采用无应力去除阻挡层工艺去除裸露于沟槽外的所有阻挡层；去除第二介质层，在相邻两沟槽之间形成一凹槽；在凹槽壁和裸露的主导电层及阻挡层上淀积第三介质层；在第三介质层和凹槽内淀积第四介质层，空气隙被形成于凹槽内。本发明通过采用无应力抛光工艺和无应力去除阻挡层工艺，使得所述空气隙互联结构可以形成于具有超微细特征尺寸结构的半导体集成电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 空气 联结 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种空气隙互联结构的形成方法，其特征是：包括如下步骤：在半导体集成电路的基底层上淀积第一介质层；在第一介质层上淀积第二介质层；在第二介质层上形成沟槽，相邻两沟槽由第二介质层隔离开；在第二介质层的表面和沟槽内依次淀积阻挡层和主导电层；对主导电层进行表面平坦化，并保留一定厚度的主导电层；采用无应力抛光工艺去除除沟槽内的主导电层以外的所有主导电层；采用无应力去除阻挡层工艺去除裸露于沟槽外的所有阻挡层；去除第二介质层，在相邻两沟槽之间形成一凹槽；在凹槽壁和裸露的主导电层及阻挡层上淀积第三介质层；在第三介质层和凹槽内淀积第四介质层，空气隙被形成于凹槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
