[发明专利]制造非易失性存储器装置的方法无效
| 申请号： | 201110361877.X | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102468241A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 罗宗勋;朴泳雨;郭东华;金泰瑢;韩智勋;柳璋铉;李东植;朴秀振 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造非易失性存储器装置的方法，包括：提供衬底，其具有由多个沟槽限定的有源区；在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽，该牺牲层包括填充沟槽的下部的第一区以及填充除下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；通过移除牺牲层的第一区而在沟槽中形成空气间隙；以及在维持该空气间隙的同时移除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 非易失性存储器 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造非易失性存储器装置的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有由多个沟槽限定的有源区；在具有所述多个沟槽的所述衬底上形成第一隔离层；在所述第一隔离层上形成牺牲层以填充所述沟槽，所述牺牲层包括填充所述沟槽的下部的第一区以及填充除所述下部之外的部分的第二区；移除所述牺牲层的所述第二区；在所述第一隔离层和所述牺牲层的所述第一区上形成第二隔离层；通过移除所述牺牲层的所述第一区来在所述沟槽中形成空气间隙；以及在维持所述空气间隙的同时移除所述第一隔离层的一部分和所述第二隔离层的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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