[发明专利]制造非易失性存储器装置的方法

权利要求书

1.一种制造非易失性存储器装置的方法，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底具有由多个沟槽限定的有源区；

在具有所述多个沟槽的所述衬底上形成第一隔离层；

在所述第一隔离层上形成牺牲层以填充所述沟槽，所述牺牲层包括填充所述沟槽的下部的第一区以及填充除所述下部之外的部分的第二区；

移除所述牺牲层的所述第二区；

在所述第一隔离层和所述牺牲层的所述第一区上形成第二隔离层；

通过移除所述牺牲层的所述第一区来在所述沟槽中形成空气间隙；以及

在维持所述空气间隙的同时移除所述第一隔离层的一部分和所述第二隔离层的一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述沟槽中形成空气间隙的步骤包括：形成所述空气间隙，使得所述第一隔离层的另一部分和所述第二隔离层的另一部分包围所述空气间隙。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在移除所述第一隔离层的所述部分和所述第二隔离层的所述部分之后，在所述第一隔离层的另一部分和所述第二隔离层的另一部分上形成第二电介质层和字线。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，移除所述牺牲层的所述第一区的步骤包括：在所述牺牲层和所述第二隔离层之间使用蚀刻选择性来选择性地移除所述牺牲层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，提供衬底的步骤包括：在所述有源区上和电荷存储浮置图案上顺序堆叠第一电介质层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，移除所述牺牲层的所述第一区的步骤包括：在所述牺牲层和所述第二隔离层之间使用第一蚀刻选择性以及在所述牺牲层和所述电荷浮置图案之间使用第二蚀刻选择性来选择性地移除所述牺牲层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述牺牲层的步骤包括：使用硬掩模上旋涂或硅氮化物层来形成所述牺牲层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

提供衬底的步骤包括：提供包含至少两个单元块的所述衬底；以及

移除所述牺牲层的所述第一区的步骤包括：形成包含在所述两个单元块之间限定的开口区的掩模图案；通过使用所述掩模图案作为蚀刻掩模来移除所述第二隔离层来暴露所述牺牲层的一部分；以及通过穿过所述开口区移除所述牺牲层的所述第一区，来在所述沟槽中形成空气间隙。

9.一种制造非易失性存储器装置的方法，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底具有由多个沟槽限定的有源区并包括至少两个单元块；

在所述衬底上形成第一隔离层；

在所述第一隔离层上形成牺牲层以填充所述多个沟槽，所述牺牲层包括填充所述沟槽的下部的第一区以及填充除所述下部之外的部分的第二区；

移除所述牺牲层的所述第二区；

在所述第一隔离层上和在所述牺牲层的所述第一区上形成第二隔离层；

在所述衬底上形成掩模图案，所述掩模图案包括在所述至少两个单元块之间限定的开口区；

通过使用所述掩模图案作为蚀刻掩模移除所述第二隔离层，来暴露所述牺牲层的一部分；

通过穿过所述掩模图案的所述开口区移除所述牺牲层的所述第一区，来在所述沟槽中形成空气间隙；以及

在所述衬底上形成第三隔离层，以填充与所述开口区相对应的所述多个沟槽中的一些沟槽。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：在填充与所述开口区相对应的一些沟槽之后，在维持所述空气间隙的同时移除所述第一隔离层的第一部分和所述第二隔离层的第一部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述沟槽中形成空气间隙的步骤包括：形成所述空气间隙，使得所述第一隔离层的第二部分和所述第二隔离层的第二部分包围所述空气间隙。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：在移除所述第一隔离层的所述第一部分和所述第二隔离层的所述第一部分之后，在所述第一隔离层的所述第二部分上以及所述第二隔离层的所述第二部分上形成第二电介质层和字线。