[发明专利]一种超薄芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201110357375.X | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102403217A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;汪学方;吕植成;袁娇娇;蔡明先 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄芯片的制备方法，具体为：首先在硅晶圆表面光刻形成掩膜以暴露出需要减薄的区域，再采用刻蚀工艺对硅晶圆进行局部减薄，对减薄后的区域进行芯片后续工艺处理得到芯片，最后将芯片与硅晶圆分离。本发明只是部分减薄了硅片，所以硅晶圆的机械强度仍然可以支持硅片进行后续的加工工艺，相对于传统的利用支撑基底来减薄芯片的方法，简化了工艺流程，降低了工艺成本。另外由于不需要用机械研磨工艺来进行减薄，所以不会因为机械研磨对硅晶圆造成的轻微震动而使厚度不能减得过小，通过本发明可以使芯片减薄到比机械研磨方法更薄的程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄芯片的制备方法，具体为： （1）在硅晶圆表面光刻形成掩膜以暴露需要减薄的区域；（2）采用刻蚀工艺对硅晶圆需要减薄的区域进行减薄；（3）对减薄后的区域进行后续工艺处理得到芯片；（4）将芯片与硅晶圆分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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