[发明专利]改善浅槽隔离氧化硅膜表面平坦化的方法无效
| 申请号： | 201110356419.7 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103107124A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 刘俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善浅槽隔离氧化硅膜表面平坦化的方法，包括：对于填满浅槽的氧化硅，先通过STI(浅沟槽隔离)的化学机械研磨，然后采用mask刻蚀AA密集区的氧化硅，从而改善浅槽隔离氧化硅膜表面的平坦化。本发明可以大幅降低对光刻对准精度的要求，比如从原来的0.1μm左右，放宽到0.3μm以上，而且由于刻蚀量的减少，可以考虑采取选择性更高的湿法刻蚀工艺。另外，本发明能增加工艺的灵活性，即可以跟据产品不同，作相应刻蚀时间的调整，以便在一定范围内(比如±500A)单独调节在AA密集区浅沟槽隔离的氧化层高度。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 隔离 氧化 表面 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种改善浅槽隔离氧化硅膜表面平坦化的方法，其特征在于，包括：对于填满浅槽的氧化硅，先通过STI的化学机械研磨，然后采用掩膜刻蚀AA密集区的氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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