[发明专利]改善浅槽隔离氧化硅膜表面平坦化的方法无效
| 申请号： | 201110356419.7 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103107124A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 刘俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 隔离 氧化 表面 平坦 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善浅槽隔离氧化硅膜表面平坦化的方法，其特征在于，包括：对于填满浅槽的氧化硅，先通过STI的化学机械研磨，然后采用掩膜刻蚀AA密集区的氧化硅。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法，步骤包括：
(1)按现有STI工艺完成浅槽内氧化硅的填满后，进行STI CMP，然后，进行在AA密集区打开的光刻；
(2)对氮化硅高选择比的SiO2进行刻蚀，使得AA密集区的SiO2膜高度和AA疏松区域保持一致，或达到所需高度；
(3)去除光刻胶。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，对氮化硅高选择比为：大于10∶1。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，刻蚀的方法，包括：湿法刻蚀、干法刻蚀。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，刻蚀的方法为湿法刻蚀。
6.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所需高度在±500A范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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