[发明专利]一种制备InAsSb量子点的方法有效
| 申请号： | 201110354641.3 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102386073A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 邓惠勇;郭建华;王奇伟;邱锋;孙常鸿;吕英飞;孙艳;胡淑红;胡古今;陈鑫;俞国林;戴宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;C30B19/00;C30B29/40;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备InAsSb量子点的方法，该方法包括五个步骤，依次是：配制母液(4)、清洁衬底(3)、抽真空后通氢气并加热石墨舟、衬底(3)与母液(4)瞬间接触制备量子点、最后冷却至室温。本发明的石墨舟的母液槽(1)的底部为阵列，即为格栅(101)或其它结构，如同心环(102)；制备量子点的过程中，石墨舟的衬底台(2)载着衬底(3)沿竖直方向移动。本发明最大的优点是制备的量子点组分均匀，并基本消除了母液残留，提高了成品率。另外，本发明结构简单，制备成本低，容易推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 inassb 量子 方法 | ||
【主权项】：
一种制备InAsSb量子点的方法，其特征在于包括以下步骤：①以高纯In、高纯InAs、高纯Sb为原料，熔融冷却后放入特制的石墨舟的母液槽(1)；②将表面腐蚀、清洗后的衬底插入石墨舟的衬底台(2)的水平插槽；③抽真空至系统的压力＜10‑4Pa后，接着关闭真空系统，然后通入氢气并开始加热石墨舟；④当温度降低至生长温度时，升高衬底台(2)，使得衬底(3)与母液(4)短暂接触后立即下降，从而分开衬底(3)与母液(4)；⑤冷却至室温，结束生长。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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