[发明专利]一种电容式三轴微陀螺仪无效
申请号: | 201110354512.4 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN103105165A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 孙博华;邵长治;王琳;孙明 | 申请(专利权)人: | 水木智芯科技(北京)有限公司 |
主分类号: | G01C19/56 | 分类号: | G01C19/56 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 100084 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种电容式三轴微陀螺仪,包括可动结构基板和真空盖板,所述可动结构基板包括:第一硅基板、位于第一硅基板上依次设置的第一氧化绝缘层、第一金属层、导电硅层及第二金属层,其中,导电硅层经图形化处理后至少形成悬空导电桥及梳齿,悬空导电桥的主体悬空于第一金属层与第二金属层之间,两端底部连接第一金属层,顶部的一部分与第二金属层相连;真空盖板包括:第二硅基板、包覆于第二硅基板外侧的第二氧化绝缘层、置于第二氧化绝缘层下方的第三金属层,第三金属层在真空盖板与可动结构基板配合时与第二金属层相连。本实施例解决多层布线技术存在的工艺步骤繁琐及容易由于层线之间的距离过小而影响电性能的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 电容 式三轴微 陀螺仪 | ||
【主权项】:
一种电容式三轴微陀螺仪,包括可动结构基板和真空盖板,其特征在于:所述可动结构基板包括:第一硅基板、位于第一硅基板上依次设置且经过各自图形化处理的氧化绝缘层、第一金属层、导电硅层及第二金属层,其中,所述导电硅层经图形化处理后至少形成悬空导电桥及梳齿,所述悬空导电桥的主体悬空于所述第一金属层与第二金属层之间,两端底部连接所述第一金属层,顶部的一部分与第二金属层相连;所述真空盖板包括:第二硅基板、包覆于第二硅基板外侧的第二氧化绝缘层、置于所述第二氧化绝缘层下方的第三金属层,所述第三金属层在所述真空盖板与所述可动结构基板配合时与所述第二金属层相连。
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