[发明专利]一种电容式三轴微陀螺仪无效

专利信息
申请号: 201110354512.4 申请日: 2011-11-10
公开(公告)号: CN103105165A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 孙博华;邵长治;王琳;孙明 申请(专利权)人: 水木智芯科技(北京)有限公司
主分类号: G01C19/56 分类号: G01C19/56
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 100084 北京市海*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电容 式三轴微 陀螺仪
【权利要求书】:

1.一种电容式三轴微陀螺仪,包括可动结构基板和真空盖板,其特征在于:

所述可动结构基板包括:第一硅基板、位于第一硅基板上依次设置且经过各自图形化处理的氧化绝缘层、第一金属层、导电硅层及第二金属层,其中,所述导电硅层经图形化处理后至少形成悬空导电桥及梳齿,所述悬空导电桥的主体悬空于所述第一金属层与第二金属层之间,两端底部连接所述第一金属层,顶部的一部分与第二金属层相连;

所述真空盖板包括:第二硅基板、包覆于第二硅基板外侧的第二氧化绝缘层、置于所述第二氧化绝缘层下方的第三金属层,所述第三金属层在所述真空盖板与所述可动结构基板配合时与所述第二金属层相连。

2.根据权利要求1所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,所述导电硅层具体为经过离子掺杂后的多晶硅层。

3.根据权利要求1所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,所述第一金属层为钨或钨铁合金层。

4.根据权利要求1所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,所述第二金属层和第三金属层均为铜层。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,第一金属层图形化形成金属互连导线及下极板,分别与所述悬空导电桥的两端底部相连。

6.根据权利要求5所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,所述导电硅层图形化后还形成位于所述悬空导电桥与梳齿之间的悬臂梁及位于所述金属互连导线上方的焊垫承载台。

7.根据权利要求6所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,所述悬空导电桥、梳齿、悬臂梁和焊接承载台层高一致。

8.根据权利要求7所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,所述第二金属层图形化后形成位置靠近梳齿的金属互通焊垫、与下极板位置相对的桥连接金属焊垫、位于所述焊垫承载台上方的电性外接焊垫和金属密封焊垫。

9.根据权利要求8所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,第三金属层图形化后形成位于梳齿上方的上极板、分别与所述金属焊垫和桥连接金属焊垫位置相对的两个互连焊垫、连接所述两个焊垫的互连焊垫横向连接线及位于所述悬空导电桥上方的纵向导线。

10.根据权利要求9所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,所述悬空导电桥与第一金属层与之间的空隙由绝缘牺牲层蚀刻形成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于水木智芯科技(北京)有限公司,未经水木智芯科技(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110354512.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top