[发明专利]一种电容式三轴微陀螺仪无效
申请号: | 201110354512.4 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN103105165A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 孙博华;邵长治;王琳;孙明 | 申请(专利权)人: | 水木智芯科技(北京)有限公司 |
主分类号: | G01C19/56 | 分类号: | G01C19/56 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 100084 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电容 式三轴微 陀螺仪 | ||
1.一种电容式三轴微陀螺仪,包括可动结构基板和真空盖板,其特征在于:
所述可动结构基板包括:第一硅基板、位于第一硅基板上依次设置且经过各自图形化处理的氧化绝缘层、第一金属层、导电硅层及第二金属层,其中,所述导电硅层经图形化处理后至少形成悬空导电桥及梳齿,所述悬空导电桥的主体悬空于所述第一金属层与第二金属层之间,两端底部连接所述第一金属层,顶部的一部分与第二金属层相连;
所述真空盖板包括:第二硅基板、包覆于第二硅基板外侧的第二氧化绝缘层、置于所述第二氧化绝缘层下方的第三金属层,所述第三金属层在所述真空盖板与所述可动结构基板配合时与所述第二金属层相连。
2.根据权利要求1所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,所述导电硅层具体为经过离子掺杂后的多晶硅层。
3.根据权利要求1所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,所述第一金属层为钨或钨铁合金层。
4.根据权利要求1所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,所述第二金属层和第三金属层均为铜层。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,第一金属层图形化形成金属互连导线及下极板,分别与所述悬空导电桥的两端底部相连。
6.根据权利要求5所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,所述导电硅层图形化后还形成位于所述悬空导电桥与梳齿之间的悬臂梁及位于所述金属互连导线上方的焊垫承载台。
7.根据权利要求6所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,所述悬空导电桥、梳齿、悬臂梁和焊接承载台层高一致。
8.根据权利要求7所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,所述第二金属层图形化后形成位置靠近梳齿的金属互通焊垫、与下极板位置相对的桥连接金属焊垫、位于所述焊垫承载台上方的电性外接焊垫和金属密封焊垫。
9.根据权利要求8所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,第三金属层图形化后形成位于梳齿上方的上极板、分别与所述金属焊垫和桥连接金属焊垫位置相对的两个互连焊垫、连接所述两个焊垫的互连焊垫横向连接线及位于所述悬空导电桥上方的纵向导线。
10.根据权利要求9所述的电容式三轴微陀螺仪,其特征在于,所述悬空导电桥与第一金属层与之间的空隙由绝缘牺牲层蚀刻形成。
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