[发明专利]金属性纳米管去除方法有效
| 申请号： | 201110354410.2 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN103101898A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种金属性纳米管去除方法，其中金属性纳米管沿第一方向形成于衬底上。该方法包括：沿与第一方向交叉的第二方向，形成多个导体，所述导体与所述金属性纳米管电接触；在所述导体上形成至少两个电压施加电极，每一电压施加电极与数目至少为一个的相应一部分导体形成电接触；以及通过电压施加电极，向导体施加电压，其中，在被施加有电压的导体中，每两个相邻导体之间建立电势差，以烧毁金属性纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 金属性 纳米 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种去除金属性纳米管的方法，所述金属性纳米管沿第一方向形成于衬底上，该方法包括：沿与第一方向交叉的第二方向，形成多个导体，所述导体与所述金属性纳米管电接触；在所述导体上形成至少两个电压施加电极，每一电压施加电极与数目至少为一个的相应一部分导体形成电接触；以及通过电压施加电极，向导体施加电压，其中，在被施加有电压的导体中，每两个相邻导体之间建立电势差，以烧毁金属性纳米管。
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