[发明专利]金属性纳米管去除方法有效
申请号: | 201110354410.2 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN103101898A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属性 纳米 去除 方法 | ||
1.一种去除金属性纳米管的方法,所述金属性纳米管沿第一方向形成于衬底上,该方法包括:
沿与第一方向交叉的第二方向,形成多个导体,所述导体与所述金属性纳米管电接触;
在所述导体上形成至少两个电压施加电极,每一电压施加电极与数目至少为一个的相应一部分导体形成电接触;以及
通过电压施加电极,向导体施加电压,
其中,在被施加有电压的导体中,每两个相邻导体之间建立电势差,以烧毁金属性纳米管。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:在所述导体上形成绝缘层,
其中,所述电压施加电极形成于所述绝缘层上,且通过对所述绝缘层进行构图,来在所述电压施加电极与导体之间形成电接触。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,在被施加有电压的导体中:
每一导体与至少一个电压施加电极形成电接触,以及
每两个相邻导体与不同电压施加电极形成电接触。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述导体由选自Pd、Pt、TiN、Cu、Al和Ag中的任一个或任意多个的组合制成。
5.根据权利要求2所述的方法,其中,所述绝缘层包括氮化物、氧化物或氮氧化物。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述电压施加电极由选自Pd、Pt、TiN、Cu、Al和Ag中的任一个或任意多个的组合制成。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述至少两个电压施加电极沿第二方向彼此相邻设置。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,衬底上包括多个金属性纳米管,以及
每一导体与所述多个金属性纳米管均形成电接触。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,在被施加有电压的导体中,相距最远的两个导体之间的距离覆盖金属性纳米管的主体部分。
10.根据权利要求2所述的方法,在烧毁金属性纳米管之后,该方法还包括:
去除所述电压施加电极、所述绝缘层和所述导体。
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