[发明专利]串行非易失性存储器及解除存储器写保护的方法有效

专利信息
申请号: 201110350626.1 申请日: 2011-11-08
公开(公告)号: CN102385556A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 邵丹;郝清山;徐红如 申请(专利权)人: 聚辰半导体(上海)有限公司
主分类号: G06F12/14 分类号: G06F12/14;G11C16/06
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 骆希聪
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种串行非易失性存储器及解除存储器写保护的方法,该串行非易失性存储器包括具有多个存储区块的非易失性存储器阵列,这些多个存储器区块中的一个或多个具有锁定或解锁状态。在串行非易失性存储器中设置写保护电路模块,其中配置有逻辑电路以用于识别指定的锁定或解锁信号序列,并根据锁定或解锁信号序列在一安全区域中设置保护状态,以将多个存储器区块中的一个或多个置于锁定或解锁状态。在此,解锁信号序列包括至少两个信号序列:第一解锁基本信号序列,具有1至7个信号位,并被施加到存储器的地址输入针脚或逻辑低使能写保护输入针脚;第二解锁序列,在所述第一解锁序列之后被施加到存储器的串行数据针脚。
搜索关键词: 串行 非易失性存储器 解除 存储器 写保护 方法
【主权项】:
1.一种串行非易失性存储器,包括:非易失性存储器阵列,包括多个存储区块,所述多个存储器区块中的一个或多个具有锁定或解锁状态;写保护电路模块,用于识别指定的锁定或解锁信号序列,并根据所述的锁定或解锁信号序列在一安全区域中设置保护状态,以将所述多个存储器区块中的一个或多个置于锁定或解锁状态;其中解锁信号序列包括至少两个信号序列:第一解锁基本信号序列,具有1至7个信号位,并被施加到存储器的地址输入针脚或逻辑低使能写保护输入针脚;第二解锁序列,在所述第一解锁序列之后被施加到存储器的串行数据针脚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚辰半导体(上海)有限公司,未经聚辰半导体(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110350626.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top