[发明专利]形成标准光掩模的方法及装置与使用检测系统的方法有效
| 申请号： | 201110349360.9 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102736399A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 赖建宏;王淼鑫;林佳仕;张宗裕;涂志强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F1/44;G03F1/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 刘晓飞;张龙哺 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成标准光掩模的方法及装置与使用检测系统，该方法方法用于一检测系统，包括：在一反应室内提供一基板；在反应室内提供一四乙基正硅酸盐(TEOS)先驱物；以及使TEOS先驱物与一电子束反应以在基板的一或多个可控位置形成可控大小的多个氧化硅微粒，氧化硅微粒可作为多个模拟污染缺陷。本发明提供了有效测试工具以检定工具性能、调整方法(recipe tuning)以及工具评估。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 标准 光掩模 方法 装置 使用 检测 系统 | ||
【主权项】：
一种形成标准光掩模的方法，用于一检测系统，包括：在一反应室内提供一基板；在该反应室内提供一四乙基正硅酸盐先驱物；以及使该TEOS先驱物与一电子束反应以在该基板的一或多个可控位置形成可控大小的多个氧化硅微粒，所述多个氧化硅微粒可作为多个模拟污染缺陷。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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