[发明专利]一种RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法

摘要

本发明公开了一种RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法，包括如下步骤：一：在多晶硅栅极上增加一层硬掩膜，在栅极刻蚀形成之后，在晶圆表面沉积一层氧化膜，再涂一层有机抗反射层，利用栅极、硅基底的高度差和有机抗反射层的涂布特性，使栅极上的有机抗反射层非常薄，而硅基底表面的有机抗反射层则比较厚；二：有机抗反射层和氧化膜回刻，控制刻蚀时间，使栅极上的有机抗反射层和氧化膜刻蚀干净，而使硅基底表面残留有机抗反射层和氧化膜；三：去除有机抗反射层；四：去除硬掩膜，使栅极的高度低于氧化膜侧墙的高度；五：在多晶硅栅极表面形成金属硅化物。该方法能改善金属硅化物的均匀性，从而避免影响后续接触孔连接的阻值稳定性。

主权项

一种RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：在多晶硅栅极上面增加一层硬掩膜，然后在栅极刻蚀形成之后，在晶圆表面沉积一层氧化膜，然后再涂一层有机抗反射层，利用栅极、硅基底的高度差和有机抗反射层的涂布的特性，使得在栅极上的有机抗反射层非常薄，而硅基底表面的有机抗反射层则比较厚；步骤二：进行有机抗反射层和氧化膜回刻，控制刻蚀时间，使得栅极上的有机抗反射层和氧化膜刻蚀干净，而使得硅基底表面残留有机抗反射层和氧化膜；步骤三：去除有机抗反射层；步骤四：去除多晶硅栅极表面的硬掩膜，使栅极的高度低于氧化膜侧墙的高度；步骤五：在多晶硅栅极表面形成金属硅化物。