[发明专利]一种RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法有效
| 申请号： | 201110348908.8 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102412133A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 黄志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 rf ldmos 栅极 金属硅 形成 工艺 方法 | ||
1.一种RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：在多晶硅栅极上面增加一层硬掩膜，然后在栅极刻蚀形成之后，在晶圆表面沉积一层氧化膜，然后再涂一层有机抗反射层，利用栅极、硅基底的高度差和有机抗反射层的涂布的特性，使得在栅极上的有机抗反射层非常薄，而硅基底表面的有机抗反射层则比较厚；
步骤二：进行有机抗反射层和氧化膜回刻，控制刻蚀时间，使得栅极上的有机抗反射层和氧化膜刻蚀干净，而使得硅基底表面残留有机抗反射层和氧化膜；
步骤三：去除有机抗反射层；
步骤四：去除多晶硅栅极表面的硬掩膜，使栅极的高度低于氧化膜侧墙的高度；
步骤五：在多晶硅栅极表面形成金属硅化物。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤一中，所述多晶硅栅极的厚度大于3000埃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤一中，所述硬掩膜是氮化膜或者氮氧化膜。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，在步骤一中，所述硬掩膜的厚度为所述氧化膜厚度的40％～100％。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤一中，所述栅极上有机抗反射层的厚度为100-500埃，硅基底表面的有机抗反射层的厚度为500-3000埃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤二中，所述进行有机抗反射层和氧化膜回刻，以硬掩膜作为刻蚀停止层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤三中，在光刻胶去除机台采用氧气等离子体将有机抗反射层去除。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤四中，所述去除硬掩膜采用湿法工艺或干法刻蚀工艺。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在步骤四中，所述去除硬掩膜采用湿法工艺，使用磷酸溶液。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述磷酸溶液的浓度为85％。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述磷酸溶液的温度为150+/-2℃。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在步骤四中，所述去除硬掩膜采用干法刻蚀工艺，硬掩膜对氧化膜的刻蚀选择比大于4。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
