[发明专利]一种高质量石墨烯的制法无效
| 申请号： | 201110345044.4 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102409399A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 郭万林;周建新;殷俊 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/02;C30B29/64 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 黄嘉栋 |
| 地址： | 210016*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高质量石墨烯制备的方法，它是将石墨烯生长基底预先经过抛光和表面洁净处理，以单壁或多壁碳纳米管打开形成的石墨烯片为前驱物，通过化学气相沉积过程以前驱物为核在基底上生长石墨烯。本发明以打开碳纳米管得到的石墨烯为晶种生长石墨烯，可以得到大尺度、低缺陷的石墨烯材料，便于功能器件应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 石墨 制法 | ||
【主权项】：
一种高质量石墨烯的制法，其特征是它包括下列步骤：步骤1. 石墨烯生长基底的处理：通过化学物理研磨、电化学抛光和退火等手段，使基底表面缺陷尽可能降低；步骤2. 前驱物在基底上的安置：将碳纳米管打开形成的石墨烯片层排布转移到基底上；如果碳纳米管为原位生长、原位打开，则将可能的杂质去除后直接进入下一步的石墨烯生长；步骤3. 以打开的碳管为核进行石墨烯的沉积生长：将置有前驱物的基底放入化学气相沉积炉中，保持生长温度1000℃，通入甲烷和氢气，气体流量为甲烷25sccm，氢气10sccm，生长10分钟后得到大面积石墨烯层；也可以控制较小的气流和较短的时间，使前驱物继续生长为石墨烯条带。
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