[发明专利]一种SiGe HBT器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110342684.X | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN103094318A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiGe HBT器件结构，包括：硅衬底上具有集电区和膺埋层，场氧位于所述膺埋层上方，多晶硅栅位于所述场氧上方，基区位于所述多晶硅栅和集电区上方，发射区隔离氧化物位于所述基区上方，发射区位于所述发射区隔离氧化物和基区上方，所述发射区与发射区隔离氧化物相邻，隔离侧墙位于所述发射区和发射区隔离氧化物两侧，所述集电区与所述场氧、膺埋层相邻，所述膺埋层通过深接触孔引出连接金属线，所述基区和发射区通过接触孔引出连接金属线。本发明还公开了一种SiGeHBT器件结构的制作方法。发明的SiGe HBT器件结构及其制造方法能减小SiGe HBT器件的基区电阻，能降低器件功耗，能提高器件最高振荡频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sige hbt 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiGe HBT器件结构，其特征是，包括：硅衬底上具有集电区和膺埋层，场氧位于所述膺埋层上方，多晶硅栅位于所述场氧上方，基区位于所述多晶硅栅和集电区上方，发射区隔离氧化物位于所述基区上方，发射区位于所述发射区隔离氧化物和基区上方，所述发射区与发射区隔离氧化物相邻，隔离侧墙位于所述发射区和发射区隔离氧化物两侧，所述集电区与所述场氧、膺埋层相邻，所述膺埋层通过深接触孔引出连接金属线，所述基区和发射区通过接触孔引出连接金属线。
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