[发明专利]一种SiGe HBT器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种SiGe HBT器件结构，其特征是，包括：

硅衬底上具有集电区和膺埋层，场氧位于所述膺埋层上方，多晶硅栅位于所述场氧上方，基区位于所述多晶硅栅和集电区上方，发射区隔离氧化物位于所述基区上方，发射区位于所述发射区隔离氧化物和基区上方，所述发射区与发射区隔离氧化物相邻，隔离侧墙位于所述发射区和发射区隔离氧化物两侧，所述集电区与所述场氧、膺埋层相邻，所述膺埋层通过深接触孔引出连接金属线，所述基区和发射区通过接触孔引出连接金属线。

2.一种SiGe HBT器件结构的制作方法，其特征是，包括：

(1)在硅衬底上生长氧化层，在氧化层上淀积硅化物；

(2)光刻制作浅沟槽隔离，淀积氧化物；

(3)进行N型重掺杂注入，形成膺埋层；

(4)在浅沟槽隔离内填充氧化物，经刻蚀、研磨、热过程，形成浅沟槽隔离氧化物作为场氧；

(5)生长栅氧化层，沉积栅多晶硅，刻蚀生成多晶硅栅；

(6)进行N性杂质注入，形成集电区；

(7)淀积氧化物介质层，刻蚀去除部分氧化物介质层将HBT器件区域打开；

(8)生长锗硅外延层，淀积氧化物介质层，刻蚀去除部分氧化物介质层，打开发射区窗口；

(9)淀积N型掺杂的多晶硅，注入N型杂质；光刻、刻蚀形成发射区和基区，注入P型杂质，对发射区覆盖之外的锗硅外延层(外基区)掺杂；

(10)淀积氧化硅层，干刻形成发射区侧墙；

(11)将膺埋层通过深接触孔引出连接金属线，基区和发射区通过接触孔引出连接金属线。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征是：实施步骤(3)时，N型重掺杂注入磷杂质，剂量为1e¹⁴cm^-2至1e¹⁶cm^-2，能量为2KeV至50KeV。

4.如权利要求2所述的制造方法，其特征是：实施步骤(6)时，注入磷杂质，剂量为1e¹²cm^-2至5e¹⁴cm^-2，能量为20KeV至350KeV。

5.如权利要求2所述的制造方法，其特征是：实施步骤(9)时，注入N型杂质磷或砷杂质，剂量大于1e¹⁵cm^-2；注入P型杂质硼或氟化硼时，剂量大于1e¹⁵cm^-2。