[发明专利]一种自氧化外延制备双面织构涂层导体NiO缓冲层的方法无效
| 申请号： | 201110342484.4 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102383085A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 张欣;雷鸣;赵勇;程翠华;张勇;王文涛 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C23C8/02 | 分类号： | C23C8/02;C23C8/10;H01B13/00;H01B12/06 |
| 代理公司： | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人： | 张澎 |
| 地址： | 610031 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自氧化外延制备双面织构涂层导体NiO缓冲层的方法，包括以下步骤：a、基带的表面腐蚀修饰：将退火处理后双轴织构NiW合金(200)基带(宽为10mm)，正反两面先后经过酒精，丙酮清洗后，在稀释后浓度为30％-50％的硝酸溶液中悬空浸渍40-120s，取出洗净，双面晾干。再将其在150体积的氨水和1-4体积的双氧水配置的混合修饰液中悬空浸渍20-60s，取出，洗净，双面晾干；b、氧化热处理：将a步表面腐蚀修饰后的NiW合金(200)基带(宽为10mm)悬空放入内径大于10mm，小于13mm的陶瓷管中，再将陶瓷管推入管式气氛烧结炉中在氩气气氛中740-800℃温度条件下，氧化热处理20-50分钟，取出即得。该方法制作成本低，工艺简单，易制得品质良好的双面NiO(200)缓冲层薄膜，并且厚度容易控制，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。此外，本悬空放置于陶瓷管的方法也适合制备其它涂层导体的双面缓冲层或超导层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 外延 制备 双面 涂层 导体 nio 缓冲 方法 | ||
【主权项】：
一种自氧化外延制备双面织构涂层导体NiO缓冲层的方法，其步骤是：a、基带的表面腐蚀修饰：将退火处理后双轴织构宽为10mm的NiW合金基带，正反双面先后经过酒精，丙酮清洗后，在稀释后浓度为30％‑50％的硝酸溶液中悬空浸渍40‑120s，取出洗净，双面晾干；再将其在150体积的双氧水和1‑4体积的氨水配置的混合修饰液中悬空浸渍20‑60s，取出，洗净，双面晾干；b、氧化热处理：将a步表面腐蚀修饰后的NiW合金基带悬空放入内径大于10mm，小于13mm的陶瓷管中，再将陶瓷管推入管式气氛烧结炉中在氩气气氛中740‑800℃温度条件下，氧化热处理20‑50分钟，取出即得缓冲层。
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