[发明专利]一种自氧化外延制备双面织构涂层导体NiO缓冲层的方法无效
| 申请号： | 201110342484.4 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102383085A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 张欣;雷鸣;赵勇;程翠华;张勇;王文涛 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C23C8/02 | 分类号： | C23C8/02;C23C8/10;H01B13/00;H01B12/06 |
| 代理公司： | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人： | 张澎 |
| 地址： | 610031 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 外延 制备 双面 涂层 导体 nio 缓冲 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种自氧化外延制备双面织构涂层导体NiO缓冲层的方法，其步骤是：
a、基带的表面腐蚀修饰：将退火处理后双轴织构宽为10mm的NiW合金基带，正反双面先后经过酒精，丙酮清洗后，在稀释后浓度为30％-50％的硝酸溶液中悬空浸渍40-120s，取出洗净，双面晾干；再将其在150体积的双氧水和1-4体积的氨水配置的混合修饰液中悬空浸渍20-60s，取出，洗净，双面晾干；
b、氧化热处理：将a步表面腐蚀修饰后的NiW合金基带悬空放入内径大于10mm，小于13mm的陶瓷管中，再将陶瓷管推入管式气氛烧结炉中在氩气气氛中740-800℃温度条件下，氧化热处理20-50分钟，取出即得缓冲层。
2.如权利要求1所述的一种自氧化外延制备双面织构涂层导体NiO缓冲层薄膜的方法，其特征是：所述b步中氧化热处理的具体做法为：将管式气氛烧结炉快速升温到所述温度，当温度和通入气氛的气流量稳定后，再将悬空放置的正反双面腐蚀修饰后的NiW合金基带推入炉中，当基带在炉中的时间达到所述氧化热处理的时间后，将氧化后的基带从炉中推出，冷却至室温。
3.如权利要求2所述的一种自氧化外延制备双面织构涂层导体NiO缓冲层的方法，其特征是：所述b步中悬空放置是指所用陶瓷管的内径大于基带本身宽度3mm左右使基带悬空。
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