[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110342207.3 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103094200A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体器件的制造方法，通过在半导体器件的层间互连层上形成铝层，并利用阳极电解的方法将铝层的上部分区域形成具有垂向通孔的多孔氧化铝，利用多孔氧化铝作为硬掩膜，在所述层间互连层的介质层内形成气腔间隙(Air Gap)，从而减小介质层的介电常数，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供一基底，在其上形成有层间互连层，所述层间互连层包括介质层和位于介质层中的金属布线；在所述层间互连层上依次形成阻挡层和铝层；对所述铝层进行阳极氧化，使铝层的上部分区域形成多孔氧化铝层，所述多孔氧化铝层具有垂向通孔；以所述多孔氧化铝层为掩膜，刻蚀所述铝层和所述阻挡层；去除所述多孔氧化铝层和铝层；以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述介质层，以在所述介质层中形成气腔间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
