[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供一基底，在其上形成有层间互连层，所述层间互连层包括介质层和位于介质层中的金属布线；

在所述层间互连层上依次形成阻挡层和铝层；

对所述铝层进行阳极氧化，使铝层的上部分区域形成多孔氧化铝层，所述多孔氧化铝层具有垂向通孔；

以所述多孔氧化铝层为掩膜，刻蚀所述铝层和所述阻挡层；

去除所述多孔氧化铝层和铝层；

以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述介质层，以在所述介质层中形成气腔间隙。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述铝层进行阳极氧化的步骤之前，形成的所述铝层的厚度为100～500埃。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述铝层进行阳极氧化的步骤中，将所述铝层浸泡于质量百分比为2～4％的草酸溶液、温度为5～7℃中，并与电解设备的阳极相连，通入20～70V的电压。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成的所述多孔氧化铝层的孔径为小于200埃。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述铝层进行阳极氧化的步骤中，形成的所述多孔氧化铝层的厚度为50～300埃。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多孔氧化铝层和铝层利用质量百分比为1～2％的草酸溶液和质量百分比为3～8％的磷酸溶液，在50～70℃的溶液温度中，浸泡30～60分钟去除。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述铝层和所述阻挡层的步骤中，刻蚀气体包括BCl₃、Cl₂和N₂。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述介质层的步骤中，采用干法刻蚀，刻蚀气体为SF₆、CF₄和CHF₃，气体流量分别为10～50sccm、50～200sccm和10～100sccm，刻蚀偏压为0V～300V，刻蚀环境压力为40～150mtorr。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或非晶态碳中的一种或其组合。

10.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供一基底，在其上形成有层间互连层，所述层间互连层包括介质层和位于介质层中的金属布线；

在所述层间互连层上依次形成掩膜阻挡层、牺牲阻挡层和铝层；

对所述铝层进行阳极氧化，使铝层的上部分区域形成多孔氧化铝层，所述多孔氧化铝层具有垂向通孔的；

以所述多孔氧化铝层为掩膜，刻蚀所述铝层和所述牺牲阻挡层；

去除所述多孔氧化铝层和所述铝层；

以所述牺牲阻挡层为掩膜，刻蚀所述掩膜阻挡层；

去除所述牺牲阻挡层；

以所述掩膜阻挡层为掩膜刻蚀介质层，以在所述介质层中形成气腔间隙。

11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述铝层进行阳极氧化的步骤之前，形成的所述铝层的厚度为100～500埃。

12.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述铝层进行阳极氧化的步骤中，将所述铝层浸泡于质量百分比为2～4％的草酸溶液、温度为5～7℃中，并与电解设备的阳极相连，通入20～70V的电压。

13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成的所述多孔氧化铝层的孔径为小于200埃。

14.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述铝层进行阳极氧化的步骤中，形成的所述多孔氧化铝层的厚度为50～300埃。

15.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多孔氧化铝层和铝层利用质量百分比为1～2％的草酸溶液和质量百分比为3～8％的磷酸溶液，在50～70℃的溶液温度中，浸泡30～60分钟去除。