[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201110340412.6 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094136A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有具有至少两个沟槽的层间介质层；所述沟槽内形成有导电线；形成覆盖层间介质层和导电线的种子层；形成位于种子层表面的图案层，所述图案层具有第一开口，所述第一开口位于相邻两沟槽间的层间介质层上，且所述第一开口的宽度小于相邻两沟槽之间的距离；以所述图案层为掩膜，刻蚀种子层和层间介质层，形成第二开口和位于所述第二开口两侧的牺牲层，所述第二开口暴露出所述半导体衬底表面；去除所述牺牲层，形成空气间隙；形成覆盖所述种子层、且横跨所述空气间隙的绝缘层。本发明实施例形成的半导体器件中空气间隙的质量好，集成电路的性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层具有至少两个沟槽；所述沟槽内形成有导电线；其特征在于，还包括：形成覆盖所述层间介质层和导电线的种子层；形成位于所述种子层表面的图案层，所述图案层具有第一开口，所述第一开口位于相邻两沟槽间的层间介质层上，且所述第一开口的宽度小于相邻两沟槽之间的距离；以所述图案层为掩膜，刻蚀所述种子层和层间介质层，形成第二开口和位于所述第二开口两侧的牺牲层，所述第二开口暴露出所述半导体衬底表面；去除所述牺牲层，形成空气间隙；形成覆盖所述种子层、且横跨所述空气间隙的绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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