[发明专利]半导体器件的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

随着半导体产业进入高性能与多功能的集成电路新时代，集成电路内元件的密度会随之增加，而元件尺寸以及零件或元件之间的间距会随之缩小。在过去要达成上述目的，仅受限于光刻技术定义结构的能力，现有技术中，具有较小尺寸的元件的几何特征产生了新的限制因素。例如，当导电图案之间的距离缩小时，任意两相邻的导电图案所产生的电容(为用以隔开导电图案之间的距离的绝缘材料的介电常数K的函数)会增加。此增加的电容会导致导体间的电容耦合上升，从而增加电力消耗并提高电阻-电容(RC)时间常数。因此，半导体集成电路性能以及功能是否可以不断的改良取决于正在开发的具有低介电常数的材料。

由于具有最低介电常数的材料为空气(k＝1.0)，通常会形成空气间隙来进一步降低互连层内的有效K值。现有技术中半导体器件的形成方法，包括：

请参考图1，提供半导体衬底100；形成覆盖所述半导体衬底100的刻蚀停止层101；形成覆盖所述刻蚀停止层101的层间介质层103；形成位于所述层间介质层103表面的图形化的光刻胶层105；

请参考图2，以所述图形化的光刻胶层105为掩膜，刻蚀所述层间介质层103和刻蚀停止层101，形成沟槽107；

请参考图3，去除所述图形化的光刻胶层，暴露出所述层间介质层103表面；在去除所述图形化的光刻胶层后，采用沉积工艺形成覆盖所述沟槽107侧壁的牺牲层109；

请参考图4，向所述沟槽内填充导电金属，形成金属线111；

请参考图5，去除所述牺牲层，形成空气间隙113。

然而，采用现有技术形成的半导体器件在半导体集成电路中的性能较差。

更多关于在半导体器件的形成方法请参考公开号为US20110018091的美国专利。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体集成电路性能较好的半导体器件的形成方法。

为解决上述问题，本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：

提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成层间介质层，所述层间介质层具有至少两个沟槽；所述沟槽内形成有导电线；

形成覆盖所述层间介质层和导电线的种子层；

形成位于所述种子层表面的图案层，所述图案层具有第一开口，所述第一开口位于相邻两沟槽间的层间介质层上，且所述第一开口的宽度小于相邻两沟槽之间的距离；

以所述图案层为掩膜，刻蚀所述种子层和层间介质层，形成第二开口和位于所述第二开口两侧的牺牲层，所述第二开口暴露出所述半导体衬底表面；

去除所述牺牲层，形成空气间隙；

形成覆盖所述种子层、且横跨所述空气间隙的绝缘层。

可选地，去除所述牺牲层的工艺为各向同性的刻蚀方法。

可选地，去除所述牺牲层的工艺为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀采用的化学试剂为氢氟酸。

可选地，去除所述牺牲层的工艺为干法刻蚀，所述干法刻蚀采用的刻蚀气体中包括F元素。

可选地，所述干法刻蚀采用的刻蚀气体包括SF₆。

可选地，去除所述牺牲层的步骤包括：去除所述牺牲层和部分种子层，使得所述种子层的侧壁与所述层间介质层的侧壁相对齐；或者去除所述牺牲层时，保留位于所述牺牲层表面的部分种子层。

可选地，所述空气间隙的宽度为10-40μm。

可选地，所述种子层的材料为SiO₂。

可选地，所述种子层的形成步骤包括：采用TEOS和O₂或O₃反应。

可选地，所述种子层的形成工艺为低温氧化工艺。

可选地，所述绝缘层的材料为SiO₂。

可选地，所述绝缘层的形成步骤包括：采用TEOS和O₃反应。

可选地，所述层间介质层的材料为K值小于3.0的低K介质材料。

可选地，所述低K介质材料中包括C、Si、O和H元素。

与现有技术相比，本发明的实施例具有以下优点：