[发明专利]形成刻蚀掩膜的方法有效
| 申请号： | 201110340010.6 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103000497A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 黄则尧;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成刻蚀掩膜的方法，其包含：提供一基材，其上具有一待刻蚀的材料层；于所述材料层上形成一硬掩膜层，所述硬掩膜层包含有一对辐射敏感的单层阻材；将所述硬掩膜层暴照在一光化能下，以改变所述硬掩膜层受暴区域的溶剂可溶性；以及对所述硬掩膜层进行一水洗处理以去除所述硬掩膜层的受暴区域，藉以形成一由所述硬掩膜层的未受暴区域构成的掩膜图形。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种形成刻蚀掩膜的方法，其特征在于，包含有：提供一基材，其上具有一待刻蚀的材料层；于所述材料层上形成一硬掩膜层，所述硬掩膜层包含有一对辐射敏感的单层阻材；将所述硬掩膜层暴照在一光化能下，以改变所述硬掩膜层受暴区域的溶剂可溶性；以及对所述硬掩膜层进行一水洗处理，以去除所述硬掩膜层的受暴区域，藉以形成一由所述硬掩膜层的未受暴区域构成的掩膜图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
