[发明专利]形成刻蚀掩膜的方法有效
| 申请号： | 201110340010.6 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103000497A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 黄则尧;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 刻蚀 方法 | ||
1.一种形成刻蚀掩膜的方法，其特征在于，包含有：
提供一基材，其上具有一待刻蚀的材料层；
于所述材料层上形成一硬掩膜层，所述硬掩膜层包含有一对辐射敏感的单层阻材；
将所述硬掩膜层暴照在一光化能下，以改变所述硬掩膜层受暴区域的溶剂可溶性；以及
对所述硬掩膜层进行一水洗处理，以去除所述硬掩膜层的受暴区域，藉以形成一由所述硬掩膜层的未受暴区域构成的掩膜图形。
2.如权利要求1所述的形成刻蚀掩膜的方法，其特征在于，所述硬掩膜层包含有一化学成分，其具有至少一官能基，选自以下的群组：羟基及羧基。
3.如权利要求1所述的形成刻蚀掩膜的方法，其特征在于，在将所述硬掩膜层暴照在光化能下的前，另包含有：
于所述硬掩膜层上形成一图形化光阻层。
4.如权利要求3所述的形成刻蚀掩膜的方法，其特征在于，在将所述硬掩膜层暴照在光化能下后，另包含有：
去除所述图形化光阻层。
5.如权利要求1所述的形成刻蚀掩膜的方法，其特征在于，所述光化能包含电子束或激光。
6.如权利要求1所述的形成刻蚀掩膜的方法，其特征在于，所述材料层系为所述基材本身的一部份。
7.如权利要求1所述的形成刻蚀掩膜的方法，其特征在于，所述材料层沈积于所述基材的一主表面上。
8.如权利要求1所述的形成刻蚀掩膜的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的受暴区域可溶于水。
9.如权利要求1所述的形成刻蚀掩膜的方法，其特征在于，所述水为纯水。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
