[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201110335299.2 | 申请日： | 2011-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103094108A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，通过在形成的栅极结构上形成第一应力层，并去除位于栅极结构上方的第一应力层，接着沉积具有高密度特性的第二应力层，第二应力层产生的压应力直接作用于栅极结构，对栅极结构产生向下的压力，大于第一应力层对栅极结构产生的拉力，从而第二应力层产生的向下的压力使沿着沟道长度方向产生的单轴拉伸应变增大，进一步增加电子迁移率；同时，第二应力层产生的压应力在退火工艺期间束缚了栅极结构的形变，进一步改善了栅极结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成栅极结构，并在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；在所述半导体衬底和栅极结构上依次形成第一应力层和氧化层；进行化学机械研磨，直至暴露所述栅极结构；去除所述氧化层；在所述栅极结构和第一应力层上形成第二应力层，所述第二应力层的材质为高密度氮化硅；进行热退火工艺；去除所述第一应力层和第二应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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